DICLIB.COM
أدوات لغة الذكاء الاصطناعي

كل الأدوات الاشتراك اتصل بنا

أدخل كلمة أو عبارة بأي لغة 👆

اللغة:

ترجمة وتحليل الكلمات بواسطة الذكاء الاصطناعي

في هذه الصفحة يمكنك الحصول على تحليل مفصل لكلمة أو عبارة باستخدام أفضل تقنيات الذكاء الاصطناعي المتوفرة اليوم:

كيف يتم استخدام الكلمة في اللغة
تردد الكلمة
ما إذا كانت الكلمة تستخدم في كثير من الأحيان في اللغة المنطوقة أو المكتوبة
خيارات الترجمة إلى الروسية أو الإسبانية، على التوالي
أمثلة على استخدام الكلمة (عدة عبارات مع الترجمة)
أصل الكلمة

%ما هو (من)٪ 1 - تعريف

HEMT; Транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT)

Транзистор с высокой подвижностью электронов

Транзистор с высокой подвижностью электронов (ТВПЭ, HEMT) — полевой транзистор, в котором для создания канала используется контакт двух полупроводниковых материалов с различной шириной запрещенной зоны (вместо легированной области как у обычных МОП-транзисторов)Текст ПерсТ 6_8. В отечественной и зарубежной литературе такие приборы часто обозначают HEMT — от High Electron Mobility Transistor.

https://ru.wikipedia.org/wiki/Транзистор_с_высокой_подвижностью_электронов

Глинозёмистый цемент

Глинозёмистый цемент — быстротвердеющее гидравлическое вяжущее вещество; продукт тонкого измельчения клинкера, получаемого обжигом (до плавления или спекания) сырьевой смеси, состоящей из бокситов и известняков. Обжиг и плавление сырьевой смеси производят в доменных, электрических, вращающихся печах или в вагранках.

https://ru.wikipedia.org/wiki/Глинозёмистый_цемент

ГЛИНОЗЕМИСТЫЙ ЦЕМЕНТ

быстротвердеющее гидравлическое вяжущее вещество, получаемое обжигом сырьевой смеси из бокситов и известняка или извести с последующим тонким измельчением продукта. Характеризуется высокой коррозионной стойкостью, водонепроницаемостью и огнеупорностью; применяется при срочных восстановительных, ремонтных и других специальных работах, а также для получения жаростойкого бетона.

ويكيبيديا

Транзистор с высокой подвижностью электронов

Транзистор с высокой подвижностью электронов (ТВПЭ, HEMT) — полевой транзистор, в котором для создания канала используется контакт двух полупроводниковых материалов с различной шириной запрещенной зоны (вместо легированной области как у обычных МОП-транзисторов). В отечественной и зарубежной литературе такие приборы часто обозначают HEMT — от англ. High Electron Mobility Transistor. Также в зависимости от структуры используются аналогичные названия: HFET, HEMFET, MODFET, TEGFET, SDHT. Другие названия этих транзисторов: полевые транзисторы с управляющим переходом металл — полупроводник и гетеропереходом, ГМеП транзисторы, полевые транзисторы с модулированным легированием, селективно-легированные гетероструктурные транзисторы (СЛГТ).

https://ru.wikipedia.org/wiki/Транзистор с высокой подвижностью электронов

What is Транзистор с высокой подвижностью электронов - definition